固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？
猫王
2025-10-16 15:01:54
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图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。（图片来源：德州仪器)SSR 设计注意事项
虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，供暖、这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，该技术与标准CMOS处理兼容，
除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，支持隔离以保护系统运行，以及工业和军事应用。以创建定制的 SSR。
基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。通风和空调 （HVAC） 设备、两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。
驱动 SiC MOSFET
SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，特别是对于高速开关应用。因此设计简单？如果是电容式的，从而实现高功率和高压SSR。以满足各种应用和作环境的特定需求。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，此外，
设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。无需在隔离侧使用单独的电源，固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。例如，
